对比图
型号 PD57006STR-E PD57006TR-E PD57006S-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsLDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
额定电流 - - 1 A
耗散功率 20000 mW 20000 mW 20 W
漏源击穿电压 - - 65 V
输出功率 6 W 6 W 6 W
增益 15 dB 15 dB 15 dB
测试电流 70 mA 70 mA 70 mA
输入电容(Ciss) 27pF @28V(Vds) 27pF @28V(Vds) 27pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 20000 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
漏源极电压(Vds) 65 V 65 V -
长度 - - 7.5 mm
宽度 - - 9.4 mm
高度 - - 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -