对比图
型号 FQB19N20CTM IRFW640BTM_FP001 STB19NF20
描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin D2PAKSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 19.0 A - -
漏源极电阻 170 mΩ 145 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 3.13 W 3.13 W 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 18.0 A -
上升时间 150 ns 145 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) - 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W - 90 W
下降时间 115 ns 110 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13 W - 90W (Tc)
通道数 - - 1
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.75 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99