FDS4559和FDS4559_F085

对比图

型号 FDS4559 FDS4559_F085 FDS4559-F085

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4559  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 VFDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4559_F085, 3.5 A，4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 4.50 A - -

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.042 Ω - -

极性 N-Channel, P-Channel N+P -

耗散功率 2 W 2 W -

阈值电压 2.2 V - -

输入电容 759 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 ±60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.5A/3.5A -

上升时间 10.0 ns - -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W 2 W

通道数 - 2 -

长度 5 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.575 mm 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -