对比图
型号 STW20NM60 STW7NK90Z IXFH20N60
描述 STMICROELECTRONICS STW20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsIXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 650 V 900 V 600 V
额定电流 20.0 A 5.80 A 20.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 1.56 Ω 350 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 192 W 140 W 300 W
阈值电压 4 V 3.75 V 4.5 V
输入电容 - 1350 pF 3.30 nF
栅电荷 - - 90.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 900 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 900 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 2.90 A 20.0 A
上升时间 20 ns 45 ns 43 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 192 W 140 W 300 W
下降时间 11 ns 20 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) 140W (Tc) 300W (Tc)
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
通道数 1 - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
材质 - - Silicon
重量 - - 6 g
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -