对比图
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-262-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 35.0 A 35.0 A 35.0 A
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 150W (Tc) 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35A 35.0 A
上升时间 63 ns 63 ns 63 ns
输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)
下降时间 23 ns 23 ns 23 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
输入电容 - - 1.57 nF
栅电荷 - - 65.0 nC
长度 - 6.5 mm 10.2 mm
宽度 - 6.22 mm 4.5 mm
高度 - 2.3 mm 9.45 mm
封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free