对比图
型号 IPB027N10N3G STH310N10F7-6 STH310N10F7-2
描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 7 3
封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-3
针脚数 - 7 3
漏源极电阻 - 0.0019 Ω 0.0019 Ω
耗散功率 - 315 W 315 W
阈值电压 2 V 3.5 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 - 108 ns 108 ns
输入电容(Ciss) 11100pF @50V(Vds) 12800pF @25V(Vds) 12800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 315 W
下降时间 - 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 W 315W (Tc) 315W (Tc)
通道数 1 1 -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) - 180A -
长度 10.31 mm 15.25 mm 15.8 mm
宽度 9.45 mm 10.4 mm 10.4 mm
高度 4.57 mm 4.8 mm 4.8 mm
封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -