对比图
型号 IRL3803PBF STP95N4F3 FDP7030BL
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.006Ω; ID 140A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS STP95N4F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7030BL 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0054 Ω 9 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 110 W 65 W
阈值电压 - 2 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 40 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 140 A 80A 60.0 A
上升时间 230 ns 50 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1760pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 110 W 60 W
下降时间 - 15 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 60W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 140 A - 60.0 A
输入电容 5000pF @25V - 1.76 nF
栅电荷 - - 17.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
产品系列 IRL3803 - -
长度 10.54 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.83 mm
高度 15.24 mm 15.75 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99