FDS6894AZ和FDS6911

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6894AZ FDS6911

描述 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFETFDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 8.00 A 7.50 A

通道数 - 2

漏源极电阻 17.0 mΩ 0.013 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W

阈值电压 - 1.8 V

输入电容 1.46 nF 1.13 nF

栅电荷 14.0 nC 24.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.50 A

上升时间 14 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1455pF @10V(Vds) 1130pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 900 mW

下降时间 13 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1600 mW

长度 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司