MMBT123S-7和MMBT123S-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT123S-7 MMBT123S-7-F MMBT123S-13

描述 Trans GP BJT NPN 18V 1A 3Pin SOT-23 T/RMMBT123S 系列 18 V 1 A 300 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 18.0 V 18.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 18 V 18 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 150 @100mA, 1V 150 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

频率 - 100 MHz -

耗散功率 - 300 mW -

增益频宽积 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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