对比图
描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORZTX651STZ 编带NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 E-Line-3 TO-92-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 45.0 V 60.0 V 45.0 V
额定电流 100 mA 2.00 A 100 mA
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 60 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V - 120 @2mA, 5V
额定功率(Max) 500 mW 1 W 500 mW
频率 - 175 MHz -
极性 - NPN -
耗散功率 - 1 W -
增益频宽积 - 175 MHz -
集电极最大允许电流 - 2A -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
耗散功率(Max) - 1500 mW -
最大电流放大倍数(hFE) 800 - -
封装 TO-92-3 E-Line-3 TO-92-3
长度 - 4.77 mm -
宽度 - 2.41 mm -
高度 - 4.01 mm -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99