APT20M45SVFRG和APT20M45SVRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M45SVFRG APT20M45SVRG FDB52N20TM

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin(2+Tab) D3PAKTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin(2+Tab) D3PAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB52N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 2

封装 TO-268 D3PAK-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 56.0 A 56.0 A 52.0 A

耗散功率 300 W 300 W 357 W

输入电容 4.86 nF 4.86 nF 2.90 nF

栅电荷 195 nC 195 nC 63.0 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 56.0 A 52.0 A

上升时间 14 ns 14 ns 175 ns

输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

下降时间 7 ns 7 ns 29 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 357 W

针脚数 - - 2

漏源极电阻 - - 0.041 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 5 V

栅源击穿电压 - - 200 V

额定功率(Max) - - 357 W

封装 TO-268 D3PAK-3 TO-263-3

长度 - - 9.98 mm

宽度 - - 10.16 mm

高度 - - 4.572 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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