STD11NM60ND和STP11NM60FD

对比图

型号 STD11NM60ND STP11NM60FD STD11NM60N

描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 11.0 A 10.0 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 450 mΩ 0.4 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 90 W 160 W 90W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 900 pF 850 pF

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 11.0 A 10.0 A

上升时间 7 ns 16 ns 18.5 ns

输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 900pF @25V(Vds) 850pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 160 W 90 W

下降时间 9 ns 15 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 160W (Tc) 90W (Tc)

通道数 1 - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

栅电荷 - - 31.0 nC

长度 6.6 mm 10.4 mm -

宽度 6.2 mm 4.6 mm -

高度 2.4 mm 15.75 mm -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)