IRF2804SPBF和STB200NF04T4

对比图

型号 IRF2804SPBF STB200NF04T4 IRF2804S

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 1.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 280A 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管N沟道MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 75.0 A 120 A 75.0 A

漏源极电阻 2.3 mΩ 3.70 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 310000 mW 330 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40.0 V 40.0V (min)

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 270 A 120 A 75.0 A

上升时间 - 320 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W 330 W

下降时间 - 120 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 310000 mW -

通道数 1 - -

产品系列 IRF2804S - IRF2804S

阈值电压 4 V - -

输入电容 6450pF @25V - -

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 4.703 mm 4.6 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -