对比图
型号 STQ1HNK60R STQ1HNK60R-AP STN1HNK60
描述 N沟道600V - 8欧姆 - 1A DPAK / TO- 92 / IPAK / SOT- 223超网-TM MOSFET N-CHANNEL 600V - 8-ohm - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH-TM MOSFETSTMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-92 TO-92-3 TO-261-4
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 8 Ω 8 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 3 W 3.3 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 500 mA 500 mA
上升时间 - 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) - 156pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3 W 3.3 W
下降时间 - 25 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3W (Tc) 3.3W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 400 mA
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 - 4.95 mm 6.5 mm
宽度 - 3.94 mm 3.5 mm
高度 - 4.95 mm 1.8 mm
封装 TO-92 TO-92-3 TO-261-4
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17