STMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
立创商城:
N沟道 600V 400mA
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 156pF @25VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.95 mm
宽度 3.94 mm
高度 4.95 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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