STQ1HNK60R-AP

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STQ1HNK60R-AP概述

STMICROELECTRONICS  STQ1HNK60R-AP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3


立创商城:
N沟道 600V 400mA


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92


STQ1HNK60R-AP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 500 mA

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 156pF @25VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.95 mm

宽度 3.94 mm

高度 4.95 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STQ1HNK60R-AP引脚图与封装图
STQ1HNK60R-AP引脚图
STQ1HNK60R-AP封装图
STQ1HNK60R-AP封装焊盘图
在线购买STQ1HNK60R-AP
型号: STQ1HNK60R-AP
描述:STMICROELECTRONICS  STQ1HNK60R-AP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STQ1HNK60R-AP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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