FDS6961A和PHN210T,118

对比图

型号 FDS6961A PHN210T,118 IRF7303TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6961A..  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 90 mohm, 10 V, 1.8 VNXP  PHN210T,118  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 VDual N-Channel 30V 0.08Ω 25NC 2W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 3.50 A - 4.90 A

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.09 Ω 0.08 Ω 50.0 mΩ

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1.8 V 2 V -

输入电容 220 pF - -

栅电荷 2.10 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 2.40 A 4.90 A

上升时间 11 ns 8 ns 21.0 ns

输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) 250pF @20V(Vds) 520pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W 2 W

下降时间 3 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2 W -

产品系列 - - IRF7303

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.45 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -