VN2222LLG和VN2222LLRLRM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN2222LLG VN2222LLRLRM VN2222LL-G

描述 ON SEMICONDUCTOR  VN2222LLG  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 VoltsSupertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 7.5 Ω - 7.5 Ω

耗散功率 400 mW - 1 W

阈值电压 2.5 V - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) - 60pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 400 mW - 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400mW (Ta) - 400mW (Ta), 1W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

连续漏极电流(Ids) 150 mA 0.15A -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 150 mA - -

输入电容 60.0 pF - -

漏源击穿电压 60 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 4.45 mm - 5.08 mm

宽度 4.19 mm - 4.06 mm

高度 4.32 mm - 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2018/01/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台