BC369-25和BC369,112

对比图

型号 BC369-25 BC369,112 BC369ZL1G

描述 PNP中等功率晶体管; PNP medium power transistor;SPT PNP 20V 1A电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

封装 SPT TO-226-3 TO-226-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

耗散功率 - 830 mW 0.625 W

增益频宽积 - 140 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) - 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) - 830 mW 625 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃

频率 - - 65 MHz

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -1.00 A

额定功率 - - 800 mW

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 SPT TO-226-3 TO-226-3

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tube Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99