对比图
型号 STD10NM60N STD10NM60ND STD8NM60ND
描述 STMICROELECTRONICS STD10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 VN-channel 600V, 0.59Ω, 7A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) DPAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.53 Ω 0.57 Ω 0.59 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 70 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 12 ns 10 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 577pF @50V(Vds) 560pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W 70 W
下降时间 15 ns 9.8 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 600 V - 600 V
输入电容 540 pF - -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -