对比图
型号 FDN357N IRLML0030TRPBF BSH108,215
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN357N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 1.6 VINFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VNXP BSH108,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 30 V, 0.077 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 - 1.3 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.053 Ω 0.022 Ω 0.077 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 1.3 W 830 mW
阈值电压 1.6 V 1.7 V 1.5 V
输入电容 235 pF 382 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 1.90 A 5.3A 1.90 A
上升时间 12 ns 4.4 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 235pF @10V(Vds) 382pF @15V(Vds) 190pF @10V(Vds)
下降时间 3 ns 4.4 ns 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 0.5 W 1.3W (Ta) 830mW (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 1.90 A - -
栅电荷 4.20 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
额定功率(Max) 460 mW - 830 mW
长度 2.92 mm 3.04 mm 3 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 0.94 mm 1.02 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -