对比图
型号 FDP3652 STP80NF12 IRFZ14PBF
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 120 V 60.0 V
额定电流 61.0 A 80.0 A 10.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.014 Ω 0.013 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 300 W 43 W
阈值电压 4 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 120 V 60 V
漏源击穿电压 100 V 120 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 61.0 A 80.0 A 10.0 A
上升时间 85 ns 145 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 300 W 43 W
下降时间 45 ns 115 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 300W (Tc) 43 W
通道数 1 1 -
输入电容 2.88 nF - -
栅电荷 41.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 15.75 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR -