对比图
型号 IRL3705ZSTRLPBF STB80NF55-08T4 STB85NF55T4
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS STB80NF55-08T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 86.0 A 80.0 A 40.0 A
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 300 W -
额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V
额定电流 - 80.0 A 80.0 A
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.008 Ω 0.0062 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
上升时间 - 110 ns 100 ns
下降时间 - 35 ns 35 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - - 1
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
ECCN代码 - EAR99 -