对比图
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4110PBF 场效应管, MOSFET, N沟道N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 300 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 4.5 mΩ 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 370 W 300 W
阈值电压 4 V 3 V
输入电容 9620pF @50V 5500 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 180 A 80.0 A
上升时间 67.0 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 9620pF @50V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 370 W 300 W
下降时间 - 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc)
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 180 A 80.0 A
通道数 - 1
栅源击穿电压 - ±20.0 V
产品系列 IRFB4110 -
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99