对比图
型号 FDD6632 STD17NF03LT4 NTD23N03R
描述 N沟道逻辑电平UltraFET㈢沟槽功率MOSFET 30V ， 9A ， 70mз N-Channel Logic Level UltraFET㈢ Trench Power MOSFET 30V, 9A, 70mзN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics23A,25V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 25.0 V
额定电流 9.00 A 17.0 A 23.0 A
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 70.0 mΩ 0.05 Ω 32.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 15 W 30 W 22.3 W
阈值电压 - 1.5 V -
输入电容 255 pF 320 pF 225 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 17.0 A 23.0 A
上升时间 41 ns 100 ns 14.9 ns
输入电容(Ciss) 255pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds) 225pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 15 W 30 W -
下降时间 23 ns 22 ns 2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 15W (Tc) 30W (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
栅电荷 2.60 nC - 3.76 nC
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -