对比图
型号 FDD3680 STD25NF10T4 STD15NF10T4
描述 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 25.0 A 25.0 A 23.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.046 Ω 0.033 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 68 W 100 W 70 W
阈值电压 2.4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 12.5 A 23.0 A
上升时间 8.5 ns 60 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1735pF @50V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W 100 W 70 W
下降时间 21 ns 15 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 68W (Ta) 100W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 1.73 nF - -
栅电荷 38.0 nC - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99