对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON IRF630NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - - 82 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.3 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 75000 mW 40W (Tc) 82 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 530 pF - 575 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - - 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 7.00 A 9.3A
上升时间 40 ns 40.0 ns 14 ns
热阻 - - 1.83℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W - 82 W
下降时间 30 ns - 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 40W (Tc) 82W (Tc)
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 9.50 A 7.00 A -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17