IRF9952PBF和PHC21025,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9952PBF PHC21025,118 IRF9952

描述 INFINEON  IRF9952PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1 VNXP  PHC21025,118.  场效应管阵列, MOSFET, N与P沟道, 30V, 3.5A, 8-SOICSOIC N+P 30V 3.5A/2.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - -

通道数 2 - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.1 Ω 0.08 Ω -

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 2 W 2 W -

阈值电压 1 V 2.8 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 3.50 A 3.5A/2.3A

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 250pF @20V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

上升时间 - - 8.8 ns

下降时间 - - 6.9 ns

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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