对比图
型号 IRLR024NPBF NTD3055L104T4G IRLR024NTRPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR024NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 38W, D-PAKON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 VINFINEON IRLR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -
额定电流 17.0 A 12.0 A -
通道数 1 1 1
针脚数 3 4 3
漏源极电阻 0.065 Ω 0.089 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 45 W 48 W 45 W
产品系列 IRLR024N - -
阈值电压 2 V 1.6 V 2 V
输入电容 480pF @25V - 480 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A 17A
上升时间 74.0 ns 104 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 1.5 W 45 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - - 38 W
下降时间 - 40.5 ns 29 ns
耗散功率(Max) - 1.5 W 45W (Tc)
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.38 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -