BSR56和PMBF4391,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSR56 PMBF4391,215 SST201-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSR56  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 50 mA, 10 V, SOT-23, JFETN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。VISHAY  SST201-T1-E3  晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 50.0 mA - -

漏源极电阻 25 Ω 30 Ω -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 250 mW 250 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 50.0 mA - 1.00 mA

击穿电压 40 V 40 V -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

击穿电压 - 40.0 V -40.0 V

漏源击穿电压 - - -300 mV

栅源击穿电压 - - -1.50 V

针脚数 - 3 -

输入电容(Ciss) - 14pF @20V(Vds) -

高度 0.93 mm 1 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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