对比图
型号 HUF75645S3ST STB120NF10T4 STB80NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mASTMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 75.0 A 120 A 80.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.014 Ω 0.0105 Ω 12 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 312 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
输入电容 3.79 nF 5200 pF -
栅电荷 106 nC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 mA 110 A 80.0 A
上升时间 117 ns 90 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 3790pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 312 W 300 W
下降时间 97 ns 68 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 312000 mW 300W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
重量 - 0.013607772 kg -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 -