对比图
型号 FQB9N50CFTM FQB9N50TM FQB9N50CTM
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道 500V 9AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - - 3
漏源极电阻 700 mΩ 730 mΩ 0.65 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 173W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 135 W
输入电容 1.03 nF - -
栅电荷 35.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A 9.00 A
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1450pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 173 W 3.13 W 135 W
耗散功率(Max) 173W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 135W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 9.00 A 9.00 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
上升时间 - - 65 ns
下降时间 - - 64 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99