对比图
描述 N沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 ΩSTMICROELECTRONICS STI13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 7.40 A -
漏源极电阻 1.00 Ω 0.28 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 3.13 W 90 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.40 A 11A
上升时间 80 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 1430pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 90 W
下降时间 60 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 90W (Tc)
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 3 V
封装 TO-262-3 TO-262-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 10.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -
香港进出口证 - NLR