对比图



描述 14A , 50V , 0.100 Ohm的N通道功率MOSFET 14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETsON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装70A , 60V ,额定雪崩, N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.022 Ω 14.0 mΩ
耗散功率 - 131 W 150W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
上升时间 - 55 ns -
输入电容(Ciss) - 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 131 W -
下降时间 - 13 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 131 W 150W (Tc)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 70.0 A
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 70.0 A
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.4 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Tube Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99