RFP14N05和RFP50N06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP14N05 RFP50N06 RFG70N06

描述 14A , 50V , 0.100 Ohm的N通道功率MOSFET 14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETsON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装70A , 60V ,额定雪崩, N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.022 Ω 14.0 mΩ

耗散功率 - 131 W 150W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

上升时间 - 55 ns -

输入电容(Ciss) - 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 131 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 131 W 150W (Tc)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 70.0 A

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 70.0 A

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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