对比图
型号 SI1539CDL-T1-GE3 SI1539DL-T1-E3
描述 VISHAY SI1539CDL-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 VVISHAY SI1539DL-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 2.6 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-363 SOT-363-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.323 Ω 0.41 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 340 mW 270 mW
阈值电压 1.2 V 2.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 - ±30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 630 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
长度 - 2.1 mm
宽度 - 1.25 mm
高度 - 1 mm
封装 SOT-363 SOT-363-6
产品生命周期 - Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 EAR99 -