对比图
型号 SPD30P06P SPD30P06PG MTB30P06VT4G
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor60V,-30A,P沟道功率MOSFETP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -30.0 A - -30.0 A
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 125 W - 3 W
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 30.0 A
上升时间 11 ns - 25.9 ns
输入电容(Ciss) 1535pF @25V(Vds) - 2190pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns - 52.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) - 3W (Ta), 125W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 80 mΩ
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
额定功率(Max) - - 3 W
长度 6.5 mm - 10.29 mm
宽度 6.22 mm - 9.65 mm
高度 2.3 mm - 4.83 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99