对比图
型号 SIHP12N60E-GE3 STP15N65M5 STP15NM60ND
描述 N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.32 Ω 340 mΩ 0.27 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 147 W 85 W 125 W
阈值电压 2 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 12A 11A 14A
上升时间 19 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 937pF @100V(Vds) 810pF @100V(Vds) 1250pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 147 W 85 W 125 W
下降时间 19 ns - 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 147 W 125W (Tc) 125W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 650 V 600 V
长度 10.51 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.65 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.01 mm 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 - - NLR