KSH2955TF和MJD2955G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH2955TF MJD2955G MJD2955TF

描述 Trans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RMJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -10.0 A -10.0 A -10.0 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.75 W 1.75 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 100 - 100

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20 W

增益频宽积 2 MHz - -

针脚数 - 3 -

热阻 - 6.25℃/W (RθJC) -

直流电流增益(hFE) - 2 -

长度 6.6 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.1 mm - 6.1 mm

高度 2.3 mm 2.38 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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