VND5N07和VND5N0713TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND5N07 VND5N0713TR BTS134DATMA1

描述 ? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET :完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETINFINEON  BTS134DATMA1  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 42V, 24A, TO-252-3

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器开关电源负载控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V -

额定电流 5.00 A 5.00 A -

输出接口数 1 1 1

漏源极电阻 200 mΩ 0.2 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 60000 mW 60 W 43 W

阈值电压 - 800 mV -

漏源极电压(Vds) - 70 V -

漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A -

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

供电电流 0.25 mA - -

输出电流(Min) 5 A - -

耗散功率(Max) 60000 mW - -

电源电压(Max) 18 V - -

输出电流 - - 3.5 A

针脚数 - - 3

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

输入电压 - - 42 V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.3 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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