对比图
型号 STP13N95K3 STP18N55M5 STP90N55F4
描述 STMICROELECTRONICS STP13N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VTO-220 N-CH 55V 90A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.68 Ω 0.18 Ω 6.4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 190 W 90 W 150 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 950 V 600 V 55 V
上升时间 16 ns 9.5 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 90 W 150 W
下降时间 21 ns 13 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 10A - 90A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 15.75 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -