对比图
型号 STD10P6F6 STD10PF06T4 NTD20P06LT4G
描述 P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -10.0 A -15.0 A
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.13 Ω 0.18 Ω 0.143 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 35 W 40 W 65 W
阈值电压 4 V 4 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 15.5 A
上升时间 5.3 ns 40 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 340pF @48V(Vds) 850pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 40 W 65 W
下降时间 3.7 ns 10 ns 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 40W (Tc) 65000 mW
输入电容 340 pF - -
正向电压(Max) 1.1 V - -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 7.45 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99