BSS138N和BSS138NL6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138N BSS138NL6327 BSS138LT1G

描述 BSS138N N沟道MOSFET 60V 230mA/0.23A SOT-23/SC-59 marking/标记 SK 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护60V,0.23A,N沟道功率MOSFETON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 3.5 Ω - 3.5 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 360 mW - 225 mW

阈值电压 1 V - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 230 mA - 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

输入电容(Ciss) - 41pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 360 mW 225 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 200 mA

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

输入电容 - - 40pF @25V

漏源击穿电压 - - 50 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

耗散功率(Max) - - 225 mW

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

高度 - - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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