STF10NM60N和STF18N55M5

对比图

型号 STF10NM60N STF18N55M5 TK13A60D(Q,M)

描述 STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V550V,13A,N沟道MOSFETTO-220SIS N-CH 600V 13A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

漏源极电阻 0.53 Ω 0.18 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 25 W 25 W 50 W

阈值电压 3 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 550 V 600 V

上升时间 12 ns 9.5 ns -

输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 1260pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 25 W 25 W -

下降时间 15 ns 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) -

针脚数 3 - -

连续漏极电流(Ids) - - 13A

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 16.4 mm 16.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -