STN1NF20和STN4NF20L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STN1NF20 STN4NF20L IRFL210TRPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STN4NF20L  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V 新功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 1.1 Ω 1.1 Ω 1.5 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 3.3 W 2 W

阈值电压 4 V 2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 1A 960 mA

上升时间 5.6 ns 2 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 90pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 3.3 W 2 W

下降时间 12.4 ns 10.4 ns 8.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) 3.3W (Tc) 3.1 W

通道数 1 1 -

长度 - 6.5 mm 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - 1.8 mm 1.8 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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