对比图
型号 STW18NM80 STW45NM50FD SPP07N60C3
描述 STMICROELECTRONICS STW18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)INFINEON SPP07N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.1 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 417 W 83 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 500 V 650 V
上升时间 28 ns 107.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 417 W 83 W
下降时间 50 ns 87.7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 417W (Tc) -
额定电压(DC) - 500 V 650 V
额定电流 - 45.0 A 7.30 A
通道数 - - 1
连续漏极电流(Ids) - 45.0 A 7.30 A
工作结温(Max) - - 150 ℃
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 15.75 mm 15.75 mm 10 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 4.4 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 15.65 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 NLR - NLR