对比图
型号 IPI65R190C6XKSA1 SPI20N65C3 SPI20N65C3HKSA1
描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt ratedTO-262 N-CH 650V 20.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.7 A 20.7A
上升时间 12 ns 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 4.5 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 151W (Tc) - 208000 mW
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 20.7 A -
输入电容 - 2.40 nF -
栅电荷 - 114 nC -
额定功率(Max) - 208 W -
额定功率 151 W - -
耗散功率 151W (Tc) - -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262
长度 10.36 mm 10.2 mm -
宽度 4.57 mm 4.5 mm -
高度 9.45 mm 9.45 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -