APT42F50B和APT5015BVRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT42F50B APT5015BVRG STW28NM50N

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETTO-247 N-CH 500V 32ASTMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 42.0 A 32.0 A -

漏源极电阻 110 mΩ - 0.135 Ω

耗散功率 625 W - 150 W

阈值电压 4 V - 3 V

输入电容 6.81 nF 5.28 nF -

栅电荷 170 nC 300 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 32.0 A 21A

上升时间 35 ns 14 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 6810pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 11 ns 52 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625W (Tc) 370000 mW 150W (Tc)

针脚数 - - 3

极性 - N-CH N-Channel

额定功率(Max) - - 150 W

长度 21.46 mm - 15.75 mm

宽度 16.26 mm - 5.15 mm

高度 5.31 mm - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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