STU12N65M5和STU5N95K3

对比图

型号 STU12N65M5 STU5N95K3 STI200N6F3

描述 STMICROELECTRONICS  STU12N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STU5N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 VI2PAK N-CH 60V 120A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-262-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 70 W 90 W 330W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 950 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - - 120A

输入电容(Ciss) 900pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds) 6265pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 70W (Tc) 90W (Tc) 330W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.39 Ω 3 Ω -

阈值电压 4 V 4 V -

上升时间 17.6 ns 7 ns -

额定功率(Max) 70 W - -

下降时间 23.4 ns 18 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

漏源击穿电压 - 950 V -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-262-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 2.4 mm -

高度 - 6.9 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -