STU12N65M5

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STU12N65M5概述

STMICROELECTRONICS  STU12N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 650V 8.5A Tc 70W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STU12N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
This STU12N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 70000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh v technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK


STU12N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.39 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 17.6 ns

输入电容Ciss 900pF @100VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 23.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STU12N65M5
描述:STMICROELECTRONICS  STU12N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
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