对比图
型号 JANS2N3637L JANTX2N3637 2N3637
描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin TO-39
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 3 3 3
封装 TO-5 TO-39-3 TO-39
安装方式 Through Hole Through Hole -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
耗散功率 1 W 1 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 175 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -
额定功率(Max) - 1 W -
封装 TO-5 TO-39-3 TO-39
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Bag -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
军工级 - Yes -