对比图
型号 FDB035AN06A0 NTB75N06T4G IRF3808SPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB035AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V75A,60V功率MOSFETN沟道 75V 106A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 75.0 V
额定电流 80.0 A 75.0 A 106 A
漏源极电阻 0.0032 Ω 9.50 mΩ 7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 214 W 200 W
产品系列 - - IRF3808S
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 6.40 nF - 5310pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 75.0 A 106 A
上升时间 93.0 ns 112 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 6400pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 2.4 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
下降时间 - 100 ns -
耗散功率(Max) 310W (Tc) 2.4 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
栅电荷 95.0 nC - -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 11.33 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -